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光敏性聚酰亞胺在晶圓制造工藝的反應過程如下：

1.涂布和預烘烤：聚酰亞胺前質涂布到晶圓表面，并經過熱板預烘焙。

2.曝光/顯影：聚酰亞胺前質是一種負膠，在曝光的區域產生交聯，沒有曝光的地方被顯影液沖洗除去。

3、熱固化：留下的被曝光區域經過熱固化后變為聚酰亞胺膜層。

   預烘烤也叫軟烘烤，其作用主要是用相對較低的溫度，移去聚酰亞胺前質涂布后殘余的溶劑，使膜層的流動性降低，以便于接下來的曝光定義圖形，提高膜層與晶圓的附著力，減少膜層在旋轉過程中的應力，同時提高膜層的抗機械摩擦能力。

預烘烤的方式分為:烘箱（潔凈烘箱）烘烤，及高精度熱板加熱法。一般在先進的晶圓制造廠內，都選用熱板加熱法，其優點是溶劑由里向外揮發的，有利于溶劑的充分揮發，另外熱板法傳熱快，溫度均勻，時間短。熱板法是最方便的連續生產解決方案

   PI固化必須在一個通風良好，充氮氣的PI固化烤箱中進行，因為在固化過程中有揮發性物質生成。為了去處高溫固化過程中酰亞胺化反應產生的副產物必需有一個良好的通風，在排氣管中需要安裝一個合適的 taps.烘培爐氣體環境中的氧氣含量越低越好。為了得到最好的機械性能最好低于20ppm但不能高于50ppm。

   區別與正光刻膠較低的烘烤溫度(約100~130℃)，聚酰亞胺要求比較高的固化溫度(320~360℃)，升溫時以線形升溫為佳，3~5℃每分鐘，達到最終固化溫度后最少保持 30分鐘，但最長不要超過60分鐘，因為在此溫度條件下更長的固化時間對聚酰亞胺地機械以及熱性能沒有明顯的改變。在PI烤箱固化過程中會發生重量減少，并且伴隨著膜厚減少大約 40~50%，但對圖案的清晰度影響不大。固化完成后的降溫也最好保持線形，并且需等晶圓冷卻到低于200℃后反可從PI烤箱中取出。