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概述

  光刻是指利用特定波長的光進行輻照，將掩膜板上的圖形轉移到光刻膠上的過程。光刻工藝是一個復雜的物理化學過程，具有大面積、重復性好、易操作以及成本低等特點，是半導體器件與大規(guī)模集成電路制造的核心步驟。

工藝流程

HMDS襯底預處理

  智能型HMDS增粘烘箱中首先去除表面污染物以及水蒸氣，隨后預烘烤至100~150℃，有助于增強光刻膠與襯底的黏附性，對于親水性襯底，如SiO2、玻璃、貴金屬膜等，需要使用增附劑增加襯底與光刻膠的黏附性，稱為增附或者助黏。

涂膠

在硅片表面涂布一層光刻膠，光刻膠是一種對特定波長光線敏感的光敏材料，用于在曝光過程中形成電路圖案。

前烘

 前烘又被稱為軟烘，是將涂布了光刻膠的硅片放入烘箱中進行加熱，目的是為了去除光刻膠中的溶劑，增強光刻膠與硅片的黏附性，并減少光刻膠中的應力。

  前烘精密熱板或無塵烘箱的溫度一般控制在85~120°C之間，時間為30~60秒。烘烤后需要冷卻至室溫再進行后續(xù)工藝，特別是厚膠，曝光前需要等待一段時間來實現(xiàn)再吸水過程，保證顯影速度和高對比度。

曝光

曝光需要用到光刻機，將掩模版上的電路圖案與硅片上的目標位置進行精確對準，然后通過光源將掩模版上的電路圖案投影到硅片上的光刻膠層上，形成所需要的電路圖案。